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2023年中国HJT电池技术对比分析 “降本增效”成壁垒

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 2023-03-13 17:41:44  来源:前瞻产业研究院 E1989G0

行业主要上市公司:迈为股份(300751)、金辰股份(603396)、通威股份(600438)、晶澳科技(002459)、晶科能源(688223)、隆基股份(601012)等

本文核心数据:HJT电池技术对比

1、光伏电池技术路线:粗略可划分为三个阶段

光伏电池发展至今,粗略可划分为三个阶段。2016年主要以BSF电池为主;此后光伏电池技术和制作工艺不断提升,PERC电池脱颖而出,直至2021年的市场占比已超过90%;随着近年来国内外需求开始转向高效产品以及“降本增效”提速,N型电池开始成为下一步迭代发展的方向,光伏电池技术正式进入第三阶段。

图表1:光伏电池技术发展历程

2、HJT电池技术路线:主要可以分为四个阶段

异质结(HIT)是一种特殊的PN结,由非晶硅和晶体硅材料形成,属于N型电池中的一种。细看HJT电池的技术路线,其发展历程主要可以分为技术雏形期、专利垄断期、工业化期和产业化期四个阶段。

图表2:光伏电池技术发展路线

3、HJT电池技术对比:工艺流程相对简单,效率也更高

HJT电池技术脱离了传统的同质结电池的扩散工艺,采用薄膜电池中常用的镀膜技术在晶体硅片表面制备PN结,属于行业颠覆性技术,核心制结工艺与 BSF、PERC、TOPCon 一脉相承的高温工艺体系发生了根本性变化。

图表3:HJT电池结构

与其他光伏电池技术相比,HJT电池的工艺流程相对简单,效率也更高,但电池要求的表面钝化水平高,工艺难度较大,经济性成为限制其产业化发展的一大因素。

图表4:各类光伏电池技术对比

4、HJT电池工艺流程对比情况

细看HJT的工艺流程,首先,以N型单晶硅为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜和掺杂的P型非晶硅薄膜,并与硅衬底形成P-N异质结;硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜和掺杂的N型非晶硅薄膜形成背表面场。在两侧沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)后,再通过丝网印刷在两侧顶层形成金属电极。异质结电池的关键技术在于超薄本征非晶硅层,该薄层将N型衬底与两侧的掺杂非晶硅层完全隔开,大幅度降低晶硅的表面复合,从而获得很高的开路电压。

图表5:PERC、TOPCon、HJT工艺流程对比

虽然相比PERC和TOPCon的生产流程,HJT环节更为精简,但与之相对的是对工艺精度要求和生产线设备投入的提升,且HJT电池生产线和目前主流PERC电池的工艺与产线并不兼容。因此,从中长期看,HJT电池若要实现市场突破,仍需经历一段时间的技术积累以挣脱成本和效率的制约。

以上数据来源及分析请参考于前瞻产业研究院《中国晶硅太阳能电池行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》,同时前瞻产业研究院还提供产业大数据、产业研究、产业规划、园区规划、产业招商、产业图谱、产业链咨询、技术咨询、IPO募投可研、IPO业务与技术撰写、IPO工作底稿咨询等解决方案。

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