中科院突破存储器技术难关 产业爆发这些是切入点
前不久,中科院微电子研究所与长江存储共同承担的存储器研发工作有了新的突破,技术水平的提升,让我国粗初期产业看到了新的希望。
其实近来国内厂商积极布局存储器尤其是存储芯片的研发,都获得了不错的成绩。此外在政策的支持下,存储器芯片技术水平日益提升,行业发展更是有望迎来拐点。
在这样的背景下,上市公司纷纷在存储器领域开展业务,细分领域的存储器芯片更是为投资者看好。
在存储器芯片领域,我国其实属于起步较晚的。存储器芯片是集成电路产业三大品类之一,目前在消费电子、固态存储器、内存、智能终端等领域广泛应用,存储器芯片在芯片产业的比重就超过了25%,其国产化程度反映了国家在半导体领域的发展水平。
据前瞻产业研究院《中国存储器行业发展前景与投资规划分析报告》的分析,仅2014年我国存储芯片的市场规模就已经超过2000亿元,在国内集成电路市场份额中占比更是达到了23%。但是这庞大市场需求,却需要通过进口来满足,我国每年进口的存储芯片金额高达600亿美元。尤其在DRAM与NAND Flash领域,更是我国存储器芯片领域的短板。
总体来看,我国存储芯片领域虽然取得了一些进展,但是总体看来仍旧是刚刚起步,NAND Flash与DRAM等细分领域的专利、核心技术仍旧为东芝、三星、Intel、SanDisk等海外厂商所掌握。
存储器产业属于一个需要长期投入的产业,因此国家设立集成电路产业投资基金就是想在统筹布局与合理规划的基础上,建立完善的产业生态,注重人才培养与核心技术开发,也只有这样,我国才能把握住当下各类新兴信息技术与存储器产业深度融合所产生的市场机遇。
目前,已经有不少公司在存储器领域发力,长江存储更是通过与中科院联手来开拓这一庞大市场。目前其研发的32层3D NAND Flash芯片顺利通过了包括电学特性等各项指标测试,已经基本达到了预期要求,成功验证了电子电路设计与工艺器件的整套技术。
在技术上取得突破之后,下一步我国存储器领域将会迎来产业化发展的最好时机。
对于投资者而言,想要把握这一红利,更是需要结合自身条件,从细分领域入手,将会更具保障。例如存储器技术的提升,也会带动封测产业以及材料设备的快速增长。
显然,我国国产存储器芯片将会在下一阶段迎来巨大的发展机遇。眼下随着技术、政策、人员、资金等各种条件的基本成熟,行业爆发的契机就在眼前。
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